周四，在存儲芯片股的引下，韓國股市再創歷史新。

　　韓國基準股指KOSPI指數周四開走，截至發稿漲幅已經擴大至2.7，觸及5499.79點的歷史點。

　　其中，存儲芯片巨頭漲。三星電子股價漲至記錄位，目前漲幅已擴大至近6；而SK海力士目前漲近4。

　　消息面上陜西橡塑膠廠家，韓國海關周三公布的數據顯示，2月前10天，韓國半體出口額達到67.3億美元，同比飆漲137.6。

　　同日，三星電子席技術官Song Jai-hyuk表示，內存強勁需求料持續到2027年。他還強調，三星公司的HBM4芯片顯示出“良好的”制造良率，客戶對其能表示非常滿意。

　　市場普遍預期，三星電子將在下周農歷新年假期后開始向英偉達發貨HBM4產品。

　　而此前天，有消息稱，韓國SK集團會長崔泰源近期在美國與英偉達席執行官黃仁勛會面。雙就帶寬內存（HBM）供應以及廣泛的人工智能（AI）業務作事宜進行了商討。

　　今年以來，Kospi指數已累計上漲近30，背后驅動因素包括AI驅動的半體周期以及政策改革重塑市場信心等。

　　韓國存儲芯片股追隨了隔夜美股存儲芯片板塊的走勢。周三陜西橡塑膠廠家，美股存儲概念板塊大漲，閃迪漲10.65，美光科技漲9.94，西部數據漲逾2，希捷科技漲近3。

　　上周，半體行業研究機構SemiAnalysis發布報告預計，英偉達Vera Rubin年量產將主要采用韓國公司的HBM4，泡沫板橡塑板專用膠美光產品或被排除在外。

　　美光席財務官 Mark Murphy 在周三舉行的場會議上澄清稱，其HBM4已進入量產，整體進度好于此前預期，并開始供貨給客戶。

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　　摩根士丹利周三將美光科技目標價從350美元上調至450美元，同時維持對該股的"增持"評，并預計2026年每股收益將達52美元。

　　大摩將其為樂觀的展望歸因于持續上漲的DRAM價格和供應短缺。該行指出，今年DDR5價格大幅上漲，現貨價格較1月約價格出約130。該行預計，由于2026年供應增長仍將受到限制，主流DRAM價格將進步上漲。

　　此外，德意志銀行周二將美光的目標價從300美元上調至500美元，理由是存儲板塊供需動態有利。

　　德銀分析師Melissa Weathers稱，她預計動態隨機存取存儲器（DRAM）的供應緊張局面將持續至2027年乃至2028年——尤其是AI熱潮動了市場對帶寬內存（HBM）的需求激增。

　　Weathers還指出，與傳統DRAM相比，HBM的“硅密集度”大約出三倍，這意味著它需要多用于切割芯片的晶圓。她表示，這種密集度“正引發場我們認為尚未被充分理解的供應沖擊”。

　　與此同時，Weathers稱，新的DRAM晶圓廠至少需要兩年時間才能投產，而現有工廠目前的擴張能力有限，法緩解需求壓力。

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